多层陶瓷芯片电容器CCAF / MLCC航空航天

我电介质：谐振电路, 耦合电路和要求低损耗的电路, 高电容稳定性和高绝缘电阻

II介电质: 带旁路的电路, 筛选, 低频耦合或损耗和电容稳定性要求低

3, 零件编号样本

CCAF

0805

CG

101

j

1h

6

系列

尺寸代码

温度系数

电容代号

公差代码

电压代码

故障率等级

6 故障率等级 6 / 5故障率等级 5 航天技术认证

尺寸代码（单元：毫米）

大纲

尺寸

0402

0603

0805

1210

1812

单元：毫米

l

1.00±0.10

1.60±0.15

2.00±0.30

3.20±0.40

4.50±0.50

w

0.50±0.10

0.80±0.15

1.25±0.20

2.50±0.30

3.20±0.40

最大温度

0.60

1.00

1.50

2.80

3.50

尺寸

2220

2225

3025

/

/

l

5.70±0.50

5.70±0.50

7.50±0.50

/

/

w

5.00±0.50

6.50±0.50

6.30±0.50

/

/

最大温度

5.10

5.10

5.00

/

/

MB

0.95±0.30

0.95±0.30

0.50±0.50

/

/

温度系数电容标记法

系列

温度 系数/代码

允许电容变化

温度范围

它是用三位数字标记的，前两位数字标记电气容量的有效值，第三位数字标记有效值后零的数量，单位pF，例如：101=100pF(0.1nF) 103=10000pF(10nF)

无尿路

与你

CCAF

COG/CG BC/Z 血压/升

0±30ppm/℃

/

-55℃~125℃

巴克斯 / 氧

±15%

+15/-25%

-55℃~125℃

BR / 是

±15%

+15/-40%

-55℃~125℃

电容容差

经过 / m

±15%

/

-55℃~125℃

我 电介质

CR＜10pF

b:±10pF

c:±0.25pF

额定电压

d：±0.5pF

/

06.3V, 110V, 116V, 120V, 1是25V, 1高50V, 1J 63V, 2100V, 31000V……

CR≥10pF

F:±1%

g:±2%

终止

j:±5％

k:±10％

镍屏障

II介电质

k:±10％

m:±20％

介绍
介电材料和电容器的类型
◆高频型: 此类介质材料的电容器被视为Ⅰ类电容器,
包括高频COG、COH电容器和HG等温度补偿电容器, LG, PH值,
相对湿度,SH, TH, 乌杰, SL. COG的电气特性、COH电容是最稳定的电容，变化无常
有温度, 电压和时间. 它们适合需要低损耗和高稳定性的应用,
HG，LG，PH值，相对湿度，SH，TH，乌杰，SL电容器的电容随温度变化。它们适合应用
其中低损耗和温度补偿电路.

◆ X7R、X5R、X7S、X6S：X7R、X5R、X7S、X6S材料是一种高介电常数材料. 电容器
用这种材料制成的电容器被认为是II类电容器，其电容量高于Ⅰ类电容器.
这些电容器被归类为具有半稳定温度特性并在较宽的温度范围内使用
范围, 在这些类型的电路中, 隔直, 脱钩, 绕过, 频率判别等.

◆ Y5V：这种材料制成的电容器是所有陶瓷电容器中介电常数最高的. 他们是
在中等温度范围内使用，用于由于其不稳定而需要高电容的应用
温度系数, 但可以容忍适度的损耗和电容变化. 其电容和
损耗因数对测量条件很敏感, 例如温度和电压, ETC.

◆ Z5U：采用这种材料制成的电容器被视为II类电容器, 其温度特性
介于X7R和Y5V之间. 此类电容器的电容量不稳定，对温度和环境敏感。
电压. 非常适合在接近室温的环境中以低直流偏置运行的旁路和去耦应用电路.