AEC-Q200 커패시터 측정 조건
메모: AEC-Q200의 환경 테스트 조건은 주로 MIL-STD-202 및 JEDEC22A-104 사양을 기반으로 합니다.. 다른 부품의 테스트 온도는 동일할 뿐만 아니라, 뿐만 아니라 전원 공급 장치 (전압, 현재의, 그리고 로드) 요구 사항. 다를 것이다, 고온 보관 시 Bias 및 Load가 적용되지 않음, 그러나 고온 노동 생활에서는 필요합니다., 온도주기 및 온도 영향, 테스트 목적과 방법이 동일하지 않음, 온도주기에, 높은 온도 변화는 온도 변화율을 제어해야 합니다., 온도 충격은 사용되지 않습니다., 높은 습도는 일반적으로 고온 및 습도 테스트로 알려져 있습니다., 내습성은 습식 동결 테스트입니다..
시험조건 주의사항: 1000h 테스트 절차는 고온 보관을 위해 250h와 500h 간격으로 수행되어야 합니다. (MIL-STD-202-108): [적용 가능한 장비: 태국] 필름 콘덴서, 네트워크 저역 통과 필터, 네트워크 저항, 열에 민감한 저항기, 가변 커패시터, 가변 저항기, 세라믹 공진기, EMI 간섭 억제기, EMI 간섭 필터: 85°C/1000h 인덕터, 변신 로봇, 저항기: 125°C/1000h 배리스터: 150°C/1000h 탄탈륨 커패시터, 세라믹 커패시터 , 알루미늄 전해 커패시터: 최대 정격 온도/1000h
고온 서비스 수명 (MIL-STD-202-108): [적용 가능한 장치: 태국] 네트워크 로우패스 필터, 네트워크 저항: 85°C/1000h EMI 간섭 억제기, EMI 간섭 필터: 85°C/1000h/적용 정격 IL 탄탈륨 커패시터, 세라믹 커패시터: 최대 정격 온도 / 1000시간 / (2/3) 짐 / 정격 전압 알루미늄 전해 콘덴서, 인덕터, 변압기: 105 ° C / 1000h 필름 용량: 1000시간 / (85 ° C / 125% 정격 전압, 105 ° C & 125 ° C / 100% 정격 전압) 재설정 가능한 퓨즈: 125 ° C / 1000h 저항, 서미스터, 가변 용량: 125 ° C / 1000시간 / 정격 전압 가변 저항: 125 ° C / 1000시간 / 정격 전력 가변 저항: 125 ° C / 1000h/정격 전압 85%+ma 전류 세라믹 공진기: 85°C/1000h/정격 VDD+1MΩ, 병렬 인버터, 2각 크리스털 레그와 접지 석영 발진기 사이의 X 크리스털 CL 커패시턴스: 125°C/1000h/정격 VDD+1MΩ, 병렬 인버터, 2각 크리스털 핀과 접지 사이의 X 크리스털 CL 커패시터
Temperature cycling (JEDEC22A-104): [applicable devices: TSR, ESS] Film capacitance, 가변 용량, variable resistance, ceramic resonator, EMI interference suppressor, EMI interference filter: -55°C (30min) ←→85 °C(30min)/RAMP(15°C/min)/1000cycles 탄탈륨 커패시터, Ceramic Capacitor, 저항기, Thermistor: -55°C(30min)←→125°C(30min)/RAMP(15°C/min)/1000cycles Aluminum Electrolytic Capacitor:-40°C(30min)←→105°C(30min)/RAMP(15°C/min)/1000cycles Inductor, 변신 로봇, Rheostat, Quartz Oscillator, Resettable Fuse:-40°C(30min)←→125°C (30min)/RAMP
(15°C/min)/1000cycles Network Low-Pass Filter, Network Resistance: -55°C(30min)←→125°C(30min)/RAMP(15°C/mi사이클0cycles
Temperature Shock (MIL-STD-202-107): [적용 가능한 장비: TC, TSK] Self-heal° C fuse: -40°C(15min)최소125°C(15min)/300cycles high humidity (MIL-STD-202- 103): [applied equipment: THS] Tantalum Capacitors세라믹 커패시터citors: 85°C/85%RH/1000h/Voltage 1.3 to 1.5V Inductors & Transformers: 85°C/85%RH/1000h/ Non-energized Aluminum Electrolytic Capacitors: 85°C /85%RH/1000h/rated voltage
EMI interference suppressor, EMI interference filter: 85°C/85%RH/1000h/rated voltage & current resistance, 서미스터: 85°C/85%RH/1000h/operating power supply 10% 재설정 가능한 퓨즈: 85°C/85 %RH/1000h/rated current 10% Variable capacitance, variable resistance: 85°C/85%RH/1000h/rated power 10% Network low-pass filter & network resistance: 85°C/85%RH/1000h/ Voltage [network capacitance (네트워크 저항twork resistance (10% of rated power)] Varistor: 85°C/85%RH/1000h/rated voltage 85%+ma current quartz oscillator, ceramic resonator: 85°C/85 %RH/1000h/Rated VDD+1MΩ, Parallel Inverter, 2X Crystal CL Capacitor Between Each Crystal Leg and Ground Film Capacitance: 40°C/93%RH/1000h/ Rated Voltage Humidity Resistance (MIL-STD -202-106): [applic태국e device: THS] Film capacitance: (25°C←→65°C/90%RH*2cycle)/18h→-10°C/3h, each cycle is 24h in total, step7a&7b is not powered
