Tụ điện lai Tantalum MIL ▏DF thấp ▏CBEO Đặc điểm và ứng dụng Vỏ Alltantalum, kín kín, quảng trường, kích thước nhỏ, đạo trình xuyên tâm, Phân cực Sản phẩm này được tạo thành từ tụ điện tantalum và tụ điện hóa Hiệu suất điện ổn định, độ tin cậy cao, cuộc sống lâu dài, mật độ năng lượng lớn trên một đơn vị thể tích, lưu trữ nhiều pin usedas trong mạch chuyển đổi năng lượng và mạch xung điện, Thực hiện lưu trữ năng lượng,lọc, độ trễ tắt nguồn trong mạch. Sử dụng rộng rãi trên máy bay,rađa,tàu thủy,xe tăng,vệ tinh,tiêu chuẩn thiết bị hàng không vũ trụ:GJB733B-2011 &Q/RT0.464.222-2015 Bảng dữ liệu-Dành choMIL-Tantalum-Hybrid-Tụ điện-▏Low-DF-▏CBEO.pdf (1104 Tải xuống ) Gửi yêu cầu Thông số kỹ thuậtTổng quanHiệu suất kỹ thuật liên quanPhạm vi nhiệt độ: -55oC~+125oC(+125oC sử dụng điện áp giảm dần) Bảo quản nhiệt độ môi trường: -62oC ~ + 130oC Dung sai điện dung: K=±10%;M=±20%;Bảng Q=-10%~+30% 1 Đặc điểm và kích thước của tụ điện lai Tantalum năng lượng cao CBEO: φ22x22x12mm…